最近，由我校内蒙古自治区纳米科学与技术重点实验室赵世峰教授指导的2015级博士研究生白玉龙在室温强磁电耦合效应及器件研究获得重大突破。相关成果以Giant magnetoelectric effect in pseudo 1–3 heterostructural films with FeGa nanocluster-assembled micron scale discs embedded into Bi₅Ti₃FeO₁₅ matrices为题发表在国际纳米类顶级期刊Nanoscale (SCI一区TOP期刊, 影响因子:7.367) 上，原文链接为：http://dx.doi.org/10.1039/C7NR09652F。

古人云“蚍蜉撼大树，可笑不自量”。由零维纳米材料—团簇组装的FeGa/Bi₅Ti₃FeO₁₅纳米器件微加磁场，可获闪电之高压。正如图中所绘蚍蜉（纳米蚂蚁）亦可撼树。该工作制备出团簇组装的赝1-3结构器件在室温下获得低场、高线性度的磁电耦合系数，8000 Oe下可达418 mV/cm∙Oe。对赝1-3结构器件进行多物理场模拟，进一步确定了多界面的应力耦合作用机理。该工作中团簇组装赝1-3结构器件设计策略和室温强磁电耦合数值在国际上尚属首例；其研究结果如同沙漠中出现的绿洲，为低成本磁电耦合传感器的市场应用提供了思路。

论文以内蒙古大学为唯一署名单位，作者依次为白玉龙（2015级博士研究生）、蒋宁（2017级硕士研究生）、赵世峰。该工作得到国家自然科学基金（Grant Nos. 11564028, 11264026）、内蒙古自治区国家杰出青年科学基金培育基金（Grant No. 2014JQ01）的支持。